光刻胶分为两种，一部分不容易蚀刻，一部分容易蚀刻，放入蚀刻机中产生蚀刻的效果，容易蚀刻的部分消失，不容易蚀的部分仍然存在，结果会导致硅片中不需要的一部分消失，需要保留的一部分存在，让硅片组成复杂的电路模板，相当于过年使用的的剪纸一样。

3、反应离子刻蚀机，在平板电极间施加高频电压，产生数百微米厚的离子层，这些离子的浓度和均匀度都有很高的要求。

4、离子注入机，对半导体表面附近区域进行掺杂，控制电极之间的离子高速撞击硅片，让离子轰击进入硅片里面，实现半导体的掺杂加工。

如果电极间的离子是五价磷离子，就可以构成P型半导体，如果电极间的离子三价硼离子，就可以构成N型半导体。

除此之外，反应离子蚀刻机还可以控制掺杂浓度，得到各种掺杂浓度的半导体。

5、单晶炉，熔融半导体材料，拉单晶，为后续半导体器件制造，提供单晶体的半导体晶坯。

所谓单晶，也就是硅片，典型的特点就是所有的原子处于同一个平面，而且一层一层叠起来，技术要求非常高，越大的晶圆制造难度越高。

6、晶圆划片机，把晶圆切割成小片，而且要求晶圆的原子在同一平面。

7、晶片减薄机，通过抛磨，把晶片厚度减薄，这是机械加工的范畴，也就是利用数控机器使用刀片缓慢切割，精度原子级别。

8、气相外延炉，让单晶衬底一层一层原子缓慢增长，形成让单晶生长的基础结构。

9、分子束外延系统，在衬底表面吸引熔融硅离子，在合适的条件下，硅离子会按照晶轴方向逐层生长，冷却后形成单晶。

10、氧化炉，对半导体材料进行氧化处理，使得半导体为氧化成二氧化硅，它是一种绝缘材料。

11、低压化学气相淀积系统，把化学反应剂的蒸气引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜。

12、等离子体增强化学气相淀积系统，利用辉光放电，让等离子电离后在硅片衬底上进行化学反应，沉积半导体薄膜材料。

13、磁控溅射台，在设备内部形成正交电磁场，把电子束缚在加工目标表面特定区域，实现高离子密度和高能量的电离，让特定原子在基片上形成薄膜。

14、化学机械抛光机，通过机械研磨和化学溶解的综合作用，半导体进行研磨抛光。

15、引线键合机，把半导体芯片上的输出点与外面封装管脚用导电金属线链接起来，如果是高端芯片，一般是用黄金作为连接材料，这也是黄金可以作为贵重金属的重要原因。

16、探针测试台，通过探针与半导体器件的引脚接触，进行电学测试，检测半导体的性能指标是否符合设计性能要求。

方浩一边查阅以前自己记载的资料，一边利用自己掌握的知识进行分析，列出这些设备所需要攻克的技术，思索着如何去实现它。